2А509Б
| Default | |
| Вес | 1,3 г |
| Емкость | корпуса: 0,3…0,45 пФ |
| Заряд | накопленный: не более 25 нКл |
| Индуктивность | диода: 0,5 нГн |
| Минимальная наработка | 25000 ч |
| Мощность | импульсная рассеиваемая: 1,4 кВт |
| Напряжение | мгновенное обратное: 175 В |
| Сопротивление | потерь прямое: не более 1,5 Ом |
| Срок службы | 25 лет |
| Температура | окружающей среды: -60…+100°С |
| Ток | постоянный прямой: 100 мА |
| Частота | критическая: 150…350 ГГц |