IPD122N10N3GATMA1
- Производители Infineon Technologies
- Модель:IPD122N10N3GATMA1
- Наличие:Есть в наличии
102.07₽
999999 или более: 95.44₽
999999 или более: 95.44₽
IPD122N10N3GATMA1
| Default | |
| Вес брутто | 0.55 |
| Время | задержки включения/ выключения - 24/ 14 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Емкость, пФ | 2500 |
| Заряд затвора, нКл | 26 |
| Корпус | TO-252 (DPAK) |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток (Vgs) ± 20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 12,2 |
| Мощность | рассеиваемая (Pd) - 94 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора (Vgs th) - 3,5 В |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 |
| Способ монтажа | поверхностный (SMT) |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |