NEO Semiconductor разрабатывает 3D DRAM
NEO Semiconductor, специализирующаяся на флэш-памяти 3D NAND и 3D DRAM, анонсировала технологию 3D X-AI chip, которая заменит HBM, используемую в настоящее время в графических ускорителях искусственного интеллекта. Эта 3D DRAM оснащена встроенной обработкой AI, которая позволяет ей обрабатывать и генерировать выходные данные, не требующие математических вычислений. Это уменьшает проблемы с узкими местами шины данных, когда огромные объемы данных передаются между памятью и процессором, повышая производительность и КПД искусственного интеллекта.
В основе чипа 3D X-AI лежит слой нейронных схем, который обрабатывает данные, хранящиеся в 300 слоях памяти на одном кристалле. По информации NEO Semiconductor, эта 3D-память обеспечивает 100-кратное повышение производительности благодаря 8000 нейтронным цепям, которые обрабатывают данные с помощью искусственного интеллекта в памяти. Он также имеет в восемь раз большую плотность памяти, чем современные HBM, и, что более важно, обеспечивает снижение энергопотребления на 99% за счет уменьшения объема данных, которые необходимо обрабатывать на энергопотребляющих графических процессорах.